IXTT2N300P3HV

Name: IXTT2N300P3HV
Brand: IXYS

模拟与电源

MOSFET N-CH 3000V 2A TO268

在产TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	21Ohm @ 1A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1890 pF @ 25 V
制造商	IXYS
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Polar P3™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

漏源电压	3000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
最大功耗	520W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 155°C (TJ)