IXTT16N20D2

IXYS

IXTT16N20D2

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 16A TO268

在产TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs73mOhm @ 8A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs208 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5500 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Depletion
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
最大功耗695W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装TO-268AA

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)