IXTT16N10D2

Name: IXTT16N10D2
Brand: IXYS

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 16A TO268

停产/老旧TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	64mOhm @ 8A, 0V
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	225 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 25 V
制造商	IXYS
安装类型	Surface Mount
包装	Tube
产品状态	停产/老旧
系列	Depletion
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
最大功耗	830W (Tc)

Package / Case	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装	TO-268AA

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)