通用
| 基础料号 | IXTT12 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3720 pF @ 25 V |
| 制造商 | IXYS |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 1500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| 最大功耗 | 890W (Tc) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| 供应商器件封装 | TO-268AA |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|