IXTT10P60

Name: IXTT10P60
Brand: IXYS

模拟与电源

MOSFET P-CH 600V 10A TO268

在产TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 5A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4700 pF @ 25 V
制造商	IXYS
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
最大功耗	300W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)