IXTR68P20T

IXYS

IXTR68P20T

模拟与电源

MOSFET P-CH 200V 44A ISOPLUS247

停产/老旧TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 34A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds33400 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态停产/老旧
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc)
最大功耗270W (Tc)

机械

Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装ISOPLUS247™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)