IXTQ69N30PM

IXYS

IXTQ69N30PM

模拟与电源

MOSFET N-CH 300V 25A TO3PFP

在产TO-3P-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 34.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4960 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Polar
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
最大功耗90W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-3P-3 Full Pack
供应商器件封装TO-3PFP

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)