IXTQ150N06P

IXYS

IXTQ150N06P

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 150A TO3P

在产TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Polar
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tc)
最大功耗480W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3P

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)