IXTN660N04T4

IXYS

IXTN660N04T4

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B

在产SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.85mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds44000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
系列Trench
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C660A (Tc)
最大功耗1040W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装SOT-227B

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)