IXTN30N100L

IXYS

IXTN30N100L

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

在产SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 15A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs545 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13700 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
系列Linear
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
最大功耗800W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装SOT-227B

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)