IXTL2X180N10T

IXYS

IXTL2X180N10T

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK

在产ISOPLUSi5-Pak™模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.4mOhm @ 50A, 10V
基础料号IXTL2
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs151nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6900pF @ 25V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Trench
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A
Power - Max150W

机械

封装Tube
Package / CaseISOPLUSi5-Pak™
供应商器件封装ISOPLUSi5-Pak™

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)