IXTK75N30

IXYS

IXTK75N30

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 300V 75A TO264

停产/老旧TO-264-3, TO-264AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列MegaMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
最大功耗540W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装TO-264 (IXTK)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)