IXTK5N250

IXYS

IXTK5N250

模拟与电源

MOSFET N-CH 2500V 5A TO264

在产TO-264-3, TO-264AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8Ohm @ 2.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8560 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压2500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
最大功耗960W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装TO-264 (IXTK)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)