IXTH3N100P

IXYS

IXTH3N100P

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 3A TO247

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8Ohm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Polar
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247 (IXTH)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)