IXTH200N10T

IXYS

IXTH200N10T

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 200A TO247

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9400 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态在产
系列Trench
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
最大功耗550W (Tc)

机械

Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247 (IXTH)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)