IXTH1N250

IXYS

IXTH1N250

模拟与电源

MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40Ohm @ 750mA, 10V
基础料号IXTH1
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压2500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247AD