IXTH16P60P

IXYS

IXTH16P60P

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 600V 16A TO247

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs720mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5120 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列PolarP™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
最大功耗460W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247 (IXTH)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)