IXTH16N20D2

IXYS

IXTH16N20D2

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 16A TO247

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs73mOhm @ 8A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs208 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5500 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Depletion
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
最大功耗695W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247 (IXTH)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)