IXTA76P10T

Name: IXTA76P10T
Brand: IXYS

模拟与电源

MOSFET P-CH 100V 76A TO263

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 38A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13700 pF @ 25 V
制造商	IXYS
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchP™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±15V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	76A (Tc)
最大功耗	298W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)