IXTA6N100D2

Name: IXTA6N100D2
Brand: IXYS

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 6A TO263

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2650 pF @ 25 V
制造商	IXYS
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Depletion
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V

漏源电压	1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
最大功耗	300W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)