IXTA3N100D2

IXYS

IXTA3N100D2

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1020 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Depletion
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装TO-263AA

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)