IXTA30N25L2

Name: IXTA30N25L2
Brand: IXYS

模拟与电源

MOSFET N-CH 250V 30A TO263

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 15A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3200 pF @ 25 V
制造商	IXYS
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Linear L2™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

漏源电压	250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
最大功耗	355W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)