IXKR25N80C

IXYS

IXKR25N80C

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 18A, 10V
基础料号IXKR25
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs355 nC @ 10 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2mA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装ISOPLUS247™

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)