通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 50A, 10V |
|---|---|
| 基础料号 | IXKN75 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500 nC @ 10 V |
| 制造商 | IXYS |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 600 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| 最大功耗 | 560W (Tc) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
环境
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|