IXKN45N80C

IXYS

IXKN45N80C

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

在产SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs74mOhm @ 44A, 10V
基础料号IXKN45
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs360 nC @ 10 V
制造商IXYS
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
系列CoolMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 4mA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc)
最大功耗380W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装SOT-227B

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)