IXFX88N20Q

IXYS

IXFX88N20Q

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247-3

在产TO-247-3 Variant模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 44A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4150 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列HiPerFET™, Q Class
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 4mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C88A (Tc)
最大功耗500W (Tc)

机械

封装Box
Package / CaseTO-247-3 Variant
供应商器件封装PLUS247™-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)