IXFX55N50

IXYS

IXFX55N50

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3

停产/老旧TO-247-3 Variant模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9400 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列HiPerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 8mA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
最大功耗625W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3 Variant
供应商器件封装PLUS247™-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)