IXFX48N50Q

IXYS

IXFX48N50Q

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247-3

已停产TO-247-3 Variant模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 24A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态Not For New Designs
系列HiPerFET™, Q Class
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 4mA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Tc)
最大功耗500W (Tc)

机械

Package / CaseTO-247-3 Variant
供应商器件封装PLUS247™-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)