IXFX34N80

IXYS

IXFX34N80

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247

已停产TO-247-3 Variant模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 17A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7500 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusNot For New Designs
系列HiPerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
最大功耗560W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3 Variant
供应商器件封装PLUS247™-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)