IXFT28N50Q

IXYS

IXFT28N50Q

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 28A TO268

在产TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HiPerFET™, Q Class
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 4mA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
最大功耗375W (Tc)

机械

封装Box
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装TO-268AA

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)