IXFT170N25X3HV

IXYS

IXFT170N25X3HV

模拟与电源

MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV

在产TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.4mOhm @ 85A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13500 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HiPerFET™, Ultra X3
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 4mA

电气

漏源电压250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170A (Tc)
最大功耗960W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装TO-268HV (IXFT)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)