IXFT13N80Q

Name: IXFT13N80Q
Brand: IXYS

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 13A TO268

在产TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 6.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3250 pF @ 25 V
制造商	IXYS
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	HiPerFET™, Q Class
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA

漏源电压	800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Tc)
最大功耗	250W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)