IXFR24N100Q3

IXYS

IXFR24N100Q3

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs490mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7200 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态在产
系列HiPerFET™, Q3 Class
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 4mA

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
最大功耗500W (Tc)

机械

Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装ISOPLUS247™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)