IXYS
IXFQ8N85X
模拟与电源
MOSFET N-CH 850V 8A TO3P
在产TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源
通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4A, 10V |
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| FET Type | N-Channel |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
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| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 654 pF @ 25 V |
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| 制造商 | IXYS |
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| 安装类型 | Through Hole |
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| Product Status | Active |
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| 系列 | HiPerFET™, Ultra X |
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| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
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| Vgs (Max) | ±30V |
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| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
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电气
| 漏源电压 | 850 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
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| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
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| 最大功耗 | 200W (Tc) |
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机械
| 封装 | Tube |
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| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
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| 供应商器件封装 | TO-3P |
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环境
