IXFP50N20X3

IXYS

IXFP50N20X3

模拟与电源

DISCMSFT NCHULTRJNCTX3CLASS TO-2

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2100 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态在产
系列HiPerFET™, Ultra X3
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
最大功耗240W (Tc)

机械

Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3 (IXFP)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)