IXFP34N65X3

IXYS

IXFP34N65X3

模拟与电源

MOSFET 34A 650V X3 TO220

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 17A, 10V
基础料号IXFP34
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2025 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列HiPerFET™, Ultra X3
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5.2V @ 2.5mA

电气

漏源电压650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
最大功耗446W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3 (IXFP)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)