IXFP34N65X2

IXYS

IXFP34N65X2

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 17A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3330 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列HiPerFET™, Ultra X2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 2.5mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
最大功耗540W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)