IXFN66N50Q2

IXYS

IXFN66N50Q2

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

停产/老旧SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6800 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
系列HiPerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 8mA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C66A (Tc)
最大功耗735W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装SOT-227B

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)