IXFN50N120SIC

Name: IXFN50N120SIC
Brand: IXYS

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B

在产SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 40A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 1000 V
制造商	IXYS
安装类型	Chassis Mount
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 10mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	47A (Tc)

工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)