IXFN360N10T

Name: IXFN360N10T
Brand: IXYS

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

在产SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 180A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	505 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	36000 pF @ 25 V
制造商	IXYS
安装类型	Chassis Mount
Product Status	Active
系列	HiPerFET™, Trench
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	360A (Tc)
最大功耗	830W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)