IXFN32N120

IXYS

IXFN32N120

模拟与电源

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

已停产SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 500mA, 10V
基础料号IXFN32
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15900 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Chassis Mount
Product StatusNot For New Designs
系列HiPerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

电气

漏源电压1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A

机械

封装Box
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装SOT-227B