IXFN210N20P

IXYS

IXFN210N20P

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

在产SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 105A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds18600 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
系列HiPerFET™, Polar
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 8mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C188A (Tc)
最大功耗1070W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装SOT-227B

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)