IXFL60N60

IXYS

IXFL60N60

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264

停产/老旧TO-264-3, TO-264AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列HiPerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 8mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大功耗700W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装ISOPLUS264™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)