IXFK180N10

IXYS

IXFK180N10

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA

已停产TO-264-3, TO-264AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10900 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusNot For New Designs
系列HiPerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 8mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
最大功耗560W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装TO-264AA (IXFK)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)