IXFE23N100

IXYS

IXFE23N100

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B

停产/老旧SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs430mOhm @ 11.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
系列HiPerFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
最大功耗500W (Tc)

机械

封装Box
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装SOT-227B

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)