IXFC22N60P

IXYS

IXFC22N60P

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

停产/老旧ISOPLUS220™模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列HiPerFET™, PolarHT™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 4mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
最大功耗130W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseISOPLUS220™
供应商器件封装ISOPLUS220™

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)