IXFB44N100P

IXYS

IXFB44N100P

模拟与电源

MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264

在产TO-264-3, TO-264AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 22A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds19000 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态在产
系列HiPerFET™, Polar
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA

电气

漏源电压1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc)
最大功耗1250W (Tc)

机械

Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装PLUS264™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)