IXFB150N65X2

IXYS

IXFB150N65X2

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264

在产TO-264-3, TO-264AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20400 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列HiPerFET™, Ultra X2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 8mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tc)
最大功耗1560W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装PLUS264™

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)