IXFA76N15T2

IXYS

IXFA76N15T2

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 76A TO263AA

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5800 pF @ 25 V
制造商IXYS
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列HiPerFET™, TrenchT2™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
最大功耗350W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装TO-263AA (IXFA)

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)