IXFA4N85X

Name: IXFA4N85X
Brand: IXYS

模拟与电源

MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	247 pF @ 25 V
制造商	IXYS
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	HiPerFET™, Ultra X
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA

漏源电压	850 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.5A (Tc)
最大功耗	150W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)